Memorias dimm de rango único y rango doble, Arquitectura del subsistema de memoria – HP Servidor HP ProLiant DL320e Gen8 v2 Manual del usuario
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Elemento
Descripción
Definición
1
Size (Tamaño)
—
2
Rango
1R = rango único
2R = rango doble
4R = cuatro rangos
3
Ancho de datos
x4 = 4-bits
x8 = 8-bits
4
Tensión de funcionamiento
L = bajo voltaje (1,35 v)
U = voltaje ultrabajo (1,25 v)
Omitido o en blanco = Estándar
5
Velocidad de memoria
12800 = 1600-MT/s
10600 = 1333-MT/s
8500 = 1066-MT/s
6
Tipo de DIMM
R = RDIMM (registrado)
E = UDIMM (sin búfer con ECC)
L = LRDIMM (de carga reducida)
H = HDIMM (HyperCloud)
Para obtener la información más reciente sobre las memorias compatibles, consulte las QuickSpecs
(Especificaciones rápidas) en la página web de HP (
). En la página web, seleccione la región geográfica y, a
continuación, busque el producto por nombre o por categoría de producto.
Memorias DIMM de rango único y rango doble
Los requisitos de configuración de los módulos DIMM se basan en estas clasificaciones:
●
DIMM de rango único: un conjunto de chips de memoria al que se accede mientras se escribe o
lee en la memoria.
●
Módulos DIMM de rango doble: dos módulos DIMM de rango único en el mismo módulo;
únicamente es posible acceder a un rango en cada momento.
El subsistema de control de la memoria del servidor selecciona el rango adecuado del módulo DIMM
cuando escribe en un DIMM o lee desde éste.
Los módulos DIMM de rango doble proporcionan la mayor capacidad con la tecnología de memoria
existente. Por ejemplo, si la tecnología DRAM actual admite módulos DIMM de rango único de 2 GB,
un módulo DIMM de rango doble tendría 4 GB.
Arquitectura del subsistema de memoria
El subsistema de memoria de este servidor se divide en dos canales. El procesador admite dos
canales, y cada canal admite dos ranuras DIMM.
ESES
Opciones de memoria
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