HP Servidor HP ProLiant DL360 G7 - Manual (Página 49)

Directrices generales de ocupación de la ranura DIMM
Tenga en cuenta las siguientes directrices para todos los modos AMP:
● Ocupe las ranuras DIMM para un procesador únicamente si el procesador está instalado.
● Para maximizar el rendimiento de las configuraciones de multiprocesador, distribuya la capacidad
total de memoria entre todos los procesadores del modo más uniforme posible.
● No combine las memorias PC3 DIMM sin búfer y registradas.
● Cada canal admite un máximo de dos memorias DIMM sin búfer.
● Si las memorias DIMM de cuatro rangos están instaladas para un procesador, es posible instalar
dos memorias DIMM como máximo en cada canal para dicho procesador.
● Si un canal contiene memorias DIMM de cuatro rangos, el DIMM de cuatro rangos debe instalarse
primero en el canal.
En la siguiente tabla, se enumeran las velocidades de DIMM compatibles.
Ranuras ocupadas (por canal) Rango Velocidad admitida (MHz)
1 Rango único o rango doble 1333, 1066
1 Cuatro rangos 1066
2 Rango único o rango doble 1066
3 Rango único o rango doble 800
Directrices de ocupación de ECC Avanzado
Para las configuraciones del modo ECC Avanzado, tenga en cuenta las siguientes directrices:
● Tenga en cuenta las directrices generales de ocupación de la ranura DIMM ( Directrices generales
de ocupación de la ranura DIMM en la página 41 ).
● Es posible instalar las memorias DIMM de forma individual.
Orden de ocupación de ECC Avanzado de procesador individual
Para las configuraciones del modo ECC Avanzado con un procesador individual, ocupe las ranuras
DIMM en el siguiente orden:
● RDIMM: secuencialmente en orden alfabético (de la A a la I)
● UDIMM: de la A a la F, secuencialmente en orden alfabético. No ocupe las ranuras DIMM de la
G a la I.
Orden de ocupación de ECC Avanzado de multiprocesador
Para las configuraciones del modo ECC Avanzado con multiprocesador, ocupe las ranuras DIMM de
cada procesador en el siguiente orden:
● RDIMM: secuencialmente en orden alfabético (de la A a la I)
● UDIMM: de la A a la F, secuencialmente en orden alfabético. No ocupe las ranuras DIMM de la
G a la I.
ESES Opciones de memoria 41