Opciones de memoria, Arquitectura del subsistema de memoria – HP Servidor HP ProLiant ML330 G6 Manual del usuario
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22.
Realice una de las siguientes operaciones:
◦
Si es necesario, cierre o instale la pantalla de la torre.
◦
Vuelva a deslizar el servidor en el bastidor.
23.
Conecte todas las fuentes de alimentación al servidor.
24.
Conecte los cables de alimentación a la fuente de alimentación.
25.
Encendido del servidor (
Encendido del servidor en la página 16
Opciones de memoria
NOTA:
Este servidor no admite la combinación de RDIMM y UDIMM. Si intenta mezclar estos dos
tipos de memoria, el servidor se detiene durante la inicialización del BIOS.
El subsistema de memoria del servidor admite memorias RDIMM o UDIMM. Ambos tipos de memoria
se denominan DIMM cuando la información se aplica a los dos. Cuando la información se aplica
únicamente a la memoria RDIMM o UDIMM, se especifica explícitamente. Todas las memorias
instaladas en el servidor deben ser del mismo tipo.
El servidor admite las siguientes velocidades de DIMM:
●
Memorias DIMM de rango único y rango doble PC3-10600 (DDR-1333) a 1333 y 1066 MHz
●
Memorias DIMM de cuatro rangos PC3-8500 (DDR-1067) a 1066 MHz
En función del modelo de procesador, el número de memorias DIMM instaladas, y si las memorias
UDIMM o RDIMM están instaladas, la velocidad del reloj de memoria puede reducirse a 1066 u
800 MHz. Para obtener más información acerca del efecto de ocupación de la ranura DIMM, consulte
"Directrices generales de ocupación de la ranura DIMM" (
Directrices generales de ocupación de la
Arquitectura del subsistema de memoria
El subsistema de memoria de este servidor se divide en dos canales. Cada procesador admite tres
canales y cada canal admite tres ranuras DIMM, tal y como se muestra en la siguiente tabla.
Canal
Ranura
Número de ranura
1
G
D
A
1
2
3
2
H
E
B
4
5
6
3
I
F
C
7
8
9
Esta arquitectura de varios canales permite lograr un mejor rendimiento en el modo ECC Avanzado.
Esta arquitectura también activa los modos de memoria Mirrored Memory (Réplica de memoria) y
ESES
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