HP Servidor HP ProLiant ML350e Gen8 v2 - Manual (Página 52)

Tipo de DIMM 1 DIMM por canal 1 DIMM por canal 2 DIMM por canal 2 DIMM por canal
— 1,35V 1,5V 1,35V 1,5V
UDIMM DDR3-1333 DDR3-1600* DDR3-1333** DDR3-1600***
* UDIMM admite 1DPC a 1600 MT/s a 1,5 V solo mediante HP SmartMemory. La memoria de terceros admite 1DPC a
1333 MT/s a 1,5 V.
** UDIMM admite 2DPC a 1333 MT/s a 1,35 V solo mediante HP SmartMemory. La memoria de terceros admite 2DPC a
1066 MT/s a 1,35 V.
*** UDIMM admite 2DPC a 1600 MT/s a 1,5 V solo mediante HP SmartMemory. La memoria de terceros admite 2DPC a
1066 MT/s a 1,5V.
HP SmartMemory
HP SmartMemory, presentada para los servidores Gen8, autentica y desbloquea ciertas
características disponibles solo en la memoria HP Qualified y verifica si la memoria instalada ha
pasado los procesos de calificación y de pruebas de HP. La memoria Qualified presenta un
rendimiento ajustado a los servidores HP ProLiant y BladeSystem y proporciona mayor
compatibilidad a través del software de gestión y HP Active Health.
Algunas funciones de rendimiento son exclusivas de HP SmartMemory. La memoria
HP SmartMemory de 1,35 V DDR3-1333 Registered se ha diseñado para lograr el mismo nivel de
rendimiento que la memoria de 1,5 V. Por ejemplo, mientras que la industria admite RDIMM
DDR3-1333 a 1,5 V, el servidor ML350e admite RDIMM DDR3-1333 con hasta 2 memorias DIMM
por canal a 1333 MT/s funcionando a 1,35 V. Esto equivale hasta un 20% menos de energía en el
nivel de DIMM sin penalización de rendimiento. Además, el sector admite módulos UDIMM a razón
de 2 módulos DIMM por canal a 1066 MT/s. HP SmartMemory admite 2 DIMM por canal a 1333 MT/s
a 1,35 V, o un ancho de banda un 25% superior, y admite 2 DIMM por canal a 1600 MT/s a 1,5 V, o
un ancho de banda un 50% superior.
Arquitectura del subsistema de memoria
El subsistema de memoria de este servidor se divide en dos canales. Cada procesador admite tres
canales, y cada canal admite dos ranuras DIMM.
- Canal del
subsistema
de memoria
(Procesador
2) Orden de
ocupación Número de
ranuras
(procesador
2) - Canal del
subsistema
de memoria
(Procesador
1) Orden de
ocupación Número de
ranuras
(procesador
1)
Procesador 2 1 A
D
1
2
Procesador 1 3 F
C
1
2
Procesador 2 2 B
E
3
4
Procesador 1 2 E
B
3
4
Procesador 2 3 C
F
5
6
Procesador 1 1 D
A
5
6
Para la ubicación de los números de ranura, consulte “ranuras DIMM ( Ubicación de las ranuras
DIMM en la página 8 ).”
Esta arquitectura de varios canales permite lograr un mejor rendimiento en el modo ECC avanzado.
Esta arquitectura también permite los modos de memoria de sincronía y auxiliar en línea.
ESES Opciones de memoria 45