HP Chasis HP Apollo 6000 - Manual (Página 30)

El servidor admite módulos DIMM de doble rango PC3-12800E (DDR3) a una velocidad de
1600 MT/s.
Para obtener más información, consulte las "Directrices generales de ocupación de ranuras de
DIMM" ( Directrices generales de ocupación de ranuras de DIMM en la página 26 ).
Arquitectura del subsistema de memoria
El subsistema de memoria de este servidor se divide en dos canales. El procesador admite dos
canales, y cada canal admite dos ranuras DIMM.
Canal Orden de ocupación Número de ranura
1 C
A
4
3
2 D
B
2
1
Las ranuras DIMM se identifican por un número y letra. Las letras identifican el orden de ocupación.
Los mensajes ROM informan sobre los números de ranura durante el arranque y en los informes de
error. Para obtener información sobre la ubicación de las ranuras DIMM, consulte "Ubicación de las
ranuras DIMM" ( Ubicación de las ranuras DIMM en la página 4 ).
Memorias DIMM de rango único y rango doble
Los requisitos de configuración de los módulos DIMM se basan en estas clasificaciones:
● DIMM de rango único: un conjunto de chips de memoria al que se accede mientras se escribe o
lee en la memoria.
● Módulos DIMM de rango doble: dos módulos DIMM de rango único en el mismo módulo;
únicamente es posible acceder a un rango en cada momento.
El subsistema de control de la memoria del servidor selecciona el rango adecuado del módulo DIMM
cuando escribe en un DIMM o lee desde este.
Los módulos DIMM de rango doble proporcionan la mayor capacidad con la tecnología de memoria
existente. Por ejemplo, si la tecnología DRAM actual admite módulos DIMM de rango único de 2 GB,
un módulo DIMM de rango doble tendría 4 GB.
Identificación de los módulos DIMM
Para determinar las características del módulo DIMM, utilice la etiqueta adherida al DIMM, y la tabla
y la ilustración siguientes.
24 Capítulo 4 Instalación de opciones de hardware ESES