Directrices de ocupación de ecc avanzado, Directrices de ocupación de la réplica de memoria – HP Blade de estación de trabajo HP ProLiant WS460c G6 Manual del usuario
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Directrices de ocupación de ECC Avanzado
Para las configuraciones del modo ECC Avanzado, tenga en cuenta las siguientes directrices:
●
Tenga en cuenta las directrices generales de ocupación de la ranura DIMM (
generales de ocupación de ranuras de DIMM en la página 37
).
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Es posible instalar las memorias DIMM de forma individual.
Orden de ocupación de ECC Avanzado de procesador individual
Para las configuraciones del modo ECC Avanzado con un procesador individual, ocupe las ranuras
DIMM en el siguiente orden:
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RDIMM: Secuencialmente en orden alfabético (de la A a la F).
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UDIMM: Secuencialmente en orden alfabético (de la A a la F).
Orden de ocupación de ECC Avanzado de multiprocesador
Para las configuraciones del modo ECC Avanzado con multiprocesador, ocupe las ranuras DIMM
de cada procesador en el siguiente orden:
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RDIMM: Secuencialmente en orden alfabético (de la A a la F).
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UDIMM: Secuencialmente en orden alfabético (de la A a la F).
Directrices de ocupación de la réplica de memoria
Para las configuraciones del modo de réplica de memoria, tenga en cuenta las siguientes directrices:
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Tenga en cuenta las directrices generales de ocupación de la ranura DIMM (
generales de ocupación de ranuras de DIMM en la página 37
).
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Instale siempre las memorias DIMM en los canales 1 y 2 para cada procesador instalado.
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No instale las memorias DIMM en el canal 3 para ningún procesador.
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Las memorias DIMM instaladas en los canales 1 y 2 de un procesador instalado deben ser
idénticas.
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En las configuraciones multiprocesador, cada procesador debe disponer de una configuración
de réplica de memoria válida.
●
En las configuraciones multiprocesador, cada procesador debe disponer de una configuración
de réplica de memoria válida distinta.
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Capítulo 4 Instalación de componentes opcionales de hardware
ESES