HP Blade de estación de trabajo HP ProLiant WS460c G6 - Manual (Página 46)

Orden de ocupación de réplica de memoria de procesador individual
Para las configuraciones del modo de réplica de memoria con un procesador individual, ocupe las
ranuras DIMM en el siguiente orden:
● RDIMM
◦ Primero: A y B
◦ A continuación: D y E
◦ No ocupe las ranuras C y F.
● UDIMM
◦ Primero: A y B
◦ Por último: D y E
◦ No ocupe las ranuras C y F.
Tras instalar los módulos de memoria DIMM, utilice la RBSU para configurar el sistema para el
soporte de réplica de memoria (
Configuración de la réplica de memoria en la página 57 ).
Orden de ocupación de réplica de memoria de multiprocesador
Para las configuraciones del modo de réplica de memoria con multiprocesador, ocupe las ranuras
DIMM de cada procesador en el siguiente orden:
● RDIMM
◦ Primero: A y B
◦ A continuación: D y E
◦ No ocupe las ranuras C y F.
● UDIMM
◦ Primero: A y B
◦ Por último: D y E
◦ No ocupe las ranuras C y F.
Tras instalar los módulos de memoria DIMM, utilice la RBSU para configurar el sistema para el
soporte de réplica de memoria (
Configuración de la réplica de memoria en la página 57 ).
Directrices de ocupación de la memoria de sincronía
Para las configuraciones del modo de memoria de sincronía, tenga en cuenta las siguientes
directrices:
● Tenga en cuenta las directrices generales de ocupación de la ranura DIMM ( Directrices
generales de ocupación de ranuras de DIMM en la página 37 ).
● Instale siempre las memorias DIMM en los canales 1 y 2 para cada procesador instalado.
● No instale las memorias DIMM en el canal 3 para ningún procesador.
● La configuración de las memorias DIMM en los canales 1 y 2 de un procesador deben ser
idénticas.
ESES Opciones de memoria 39